Pesquisadores do Instituto de Tecnologia de Massachusetts (MIT), em parceria com engenheiros da Universidade do Colorado, desenvolveram o menor transistor 3D do mundo. Para se ter ideia da dimensão desta tecnologia, o menor produto do mercado possui o dobro do tamanho.
O mercado tecnológico está em constante evolução buscando maneiras de deixar os produtos mais eficientes, obviamente menores e também mais precisos. O processo para construir o transistor também é completamente novo e envolve uma microfabricação que transforma o material semicondutor em nível atômico.
Nos anos 60, Gordon E. Moore declarou que o número de transistores em cada chip dobrariam a aproximadamente cada dois anos. Por muito tempo, essa foi uma tarefa “simples” de alcançar se pensarmos na tecnologia das décadas passadas. As coisas mudam um pouco de panorama ao analisarmos o quanto diversos desses itens já estão em tamanhos microscópicos.
Os engenheiros por trás desta pesquisa se inspiraram na Lei de Moore para criar o nano transistor de apenas 7 nm de diâmetro. Em comparação a um micro cartão sim de celular, é possível colocar bilhões de unidades do novo dispositivo sobre o chip.
A técnica de “Ataque Térmico em nível Atômico” – ALE térmico permite que os materiais necessários para desenvolver os transistores sejam alterados em níveis atômicos e com mais eficiência que os disponíveis atualmente.
Levará um tempo até que o nano transistor seja produzido em larga escala, mas tudo indica que logo teremos uma nova geração de aparelhos ainda mais eficazes no mercado.